IRF530NPBF
Версия для печати Полевой транзисторНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
---|---|---|---|
IRF530NPBF | 1900 | 42.17 руб. | |
Технические характеристики IRF530NPBF
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | HEXFET® |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 9A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 17A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 37nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 920pF @ 25V |
Power - Max | 70W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-3 |
Корпус | TO-220AB |