IRF530N
Версия для печати
Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79WНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRF530N | 4000 | 28.15 руб. | |
Технические характеристики IRF530N
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchMOS™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 9A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 17A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 633pF @ 25V |
| Power - Max | 79W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
|
IRF530N N-channel Trenchmos Transistor
Производитель:
|
||
