IRF530
Версия для печати
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 R@Vgs=10V, P=90W, -55 to 175C)Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRF530 (INTERNATIONAL RECTIFIER) | 80 | 100.98 руб. | |
Технические характеристики IRF530
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 8.4A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 14A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 670pF @ 25V |
| Power - Max | 88W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
| Серия | STripFET™ |
|
IRF530FP Мощные полевые МОП транзисторы N - Channel Enhancement Mode Power Mos Transistor
Производитель:
|
||
