IRF4905PBF
Версия для печати Транзистор полевой P-канальный (Vds=55V, Id=74A@T=25C, Id=52A@T=100C, Rds=0.02 R@Vgs=10V, P=200W, -55 to 175C), Pb-free.Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
---|---|---|---|
IRF4905PBF | 1804 | 81.48 руб. | |
Описание IRF4905PBF
Полевые транзисторы HEXFETs (irf4905) – это пятое поколение полупроводниковых компонентов этого типа. Изделие разработано с использованием DMOS технологии и имеет чрезвычайно малое сопротивление на единицу площади используемого кремния. Транзистор (irf4905) обладает низким сопротивлением во включенном состоянии, что обеспечивает высокую переключающую способность. Изделие применяется при малых токах и низких напряжениях: в аппаратуре связи, в драйверах и в других электронных устройствах. Данные HEXFET транзисторы чрезвычайно эффективны и надежны для использования в широком спектре приложений.
Особенности
Ультра малое сопротивление
Динамический уровень DV / DT
Рабочая температура 175 ° C
Быстрое переключение
Краткое описание
MOSFET P-CH 55V 74A TO-220AB
Соответствие директиве RoHS Да
Категория Дискретные полупроводники
Семейство Полевые транзисторы
Серия HEXFET®FET тип MOSFET, P-канальные, Металлооксидные
FET функции Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 38A, 10V
Сток напряжения (Vdss) 55V
Ток утечки (Id) @ 25° C 74A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) @ Vgs 180nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) @ Vds 3400pF @ 25V
Мощность, макс. 200W
Монтажный тип Сквозное отверстие
Технические характеристики IRF4905PBF
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 74A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 38A, 10V |
FET Feature | Standard |
FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 180nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3400pF @ 25V |
Power - Max | 200W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-3 |
Корпус | TO-220AB |
IRF4905PBF HEXFET Power MOSFET
Производитель:
|
||