IRF1405
Версия для печати
Транзистор полевой N-MOS 55V, 133A, 200WНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRF1405 (INTERNATIONAL RECTIFIER) | 400 | 214.20 руб. | |
| IRF1405PBF | 768 | 77.30 руб. | |
Описание IRF1405
Специально разработанный для автомобильных приложений, данный
МОП-транзистор использует новейшие технологии обработки для достижения
чрезвычайно малого сопротивления на единицу площади кремния.
Особенности этого MOSFET
большой мощностью.
175 ° C - предел рабочей температуры, быстрая скорость переключения.
Это делает транзистор эффективным и надежным устройством для использования в автомобильных приложениях и широком спектре других приложений.
Напряжение сток-исток 55В
Ток стока 133А
Диапазон напряжений затвора 10В
Макс. напряжение на затворе 20В
Мощность 200Вт
Технические характеристики IRF1405
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.3 mOhm @ 101A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 131A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 260nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 5480pF @ 25V |
| Power - Max | 200W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-262-3 (Straight Leads) |
| Корпус | TO-262 |
|
IRF1405 MOSFET HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
||
