IRF1010N

Транзистор полевой N-MOS 55V, 72A, 130W

Наименование
Кол-во
Цена
IRF1010N (INTERNATIONAL RECTIFIER) 400 214.20

Технические характеристики IRF1010N

Параметр
Значение
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 85A
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11 mOhm @ 43A, 10V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Gate Charge (Qg) @ Vgs 120nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 3210pF @ 25V
Power - Max 180W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-262-3 (Straight Leads)
Корпус TO-262

Москва º ул.Марксистская, д.34, корп.7 º (495) 925-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (4732) 695-140
www.kontest.ru