IRF1010E
Версия для печати
Транзистор полевой N-канальный MOSFET 60В, 84A, 12мОм@50A, 200ВтНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRF1010E | 680 | 52.63 руб. | |
Описание IRF1010E
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
Напряжение сток / исток 60В
Ток стока 84A
Сопроивление статичесткое ключ / сток 12мОм@50A
Мощность рассеиваемая 200Вт
Температура перехода до 175оС
Время вкл /выкл. 12нс / 53нс
Технические характеристики IRF1010E
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Корпус | TO-262 |
| Корпус (размер) | TO-262-3 (Straight Leads) |
| Тип монтажа | Выводной |
| Power - Max | 200W |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3210pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 130nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 84A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 50A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
|
IRF1010ES N-канальные транзисторные модули Power MOSFET (Vdss=60V, Rds (on) =12mohm, Id=84AРЃРЅ) Также в этом файле: IRF1010EL
Производитель:
|
||
