FQD8P10
Версия для печати
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| FQD8P10 | 2 | 133.06 руб. | |
Технические характеристики FQD8P10
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 530 mOhm @ 3.3A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Серия | QFET™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 6.6A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 470pF @ 25V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
