FQD7N20LTM

Версия для печати

Наименование
Кол-во
Цена
 
FQD7N20LTM 2000 36.31 руб. 

Описание FQD7N20LTM

MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK

Технические характеристики FQD7N20LTM

Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Product Change Notification Lead Dimension Change 23/Jan/2007
Серия QFET™
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750 mOhm @ 2.75A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 5.5A
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 9nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 500pF @ 25V
Power - Max 2.5W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус D-Pak