BSP220
P-channel enhancement mode vertical d-mos transistorНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|---|---|---|
| BSP220 (NXP) | 799 | 29.41 |
Технические характеристики BSP220
Параметр |
Значение |
|---|---|
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 Ohm @ 200mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 225mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 90pF @ 25V |
| Power - Max | 1.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
| Корпус | SOT-223 |
Москва º ул.Марксистская, д.34, корп.7 º (495) 925-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (4732) 695-140
www.kontest.ru