2N7002
Версия для печати
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1ВтНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| 2N7002 (YJ) | 88000 | 2.36 руб. | |
| 2N7002,215 | 16800 | 1.64 руб. | |
Описание 2N7002
Маломощный N-канальный полевой транзистор c изолированным затвором (вертикальный D-MOS) в корпусе SOT-23. широко применяется в ключевых схемах, а также в качестве усилительного элемента в блоках и модулях радиоаппаратуры различного назначениямакс.
Возможно прямое управление транзистором 2N7002 от микросхем КМОП и ТТЛ.
Напряжение сток-исток: 60 В
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса: 220 мА
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном): 5 Ом
Номинальное напряжение затвора: 3-6 В
Рассеиваемая мощность: 1 Вт
Заряд затвора: 1.4 нКл
Технические характеристики 2N7002
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 Ohm @ 500mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 115mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V |
| Power - Max | 200mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23 |
| Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| Серия | STripFET™ |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 2nC @ 5V |
|
2N7002 Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
Производитель:
|
||
