MJE3055T
Версия для печати
Транзистор биполярный большой мощности NPN 70V 10A 75W B:20-100Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| MJE3055T (ST MICROELECTRONICS) | 284 | 158.45 руб. | |
Технические характеристики MJE3055T
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10A |
| Transistor Type | NPN |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 8V @ 3.3A, 10A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 700µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 4A, 4V |
| Power - Max | 75W |
| Frequency - Transition | 2MHz |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
|
UTCMJE3055T Биполярные транзисторы NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE
Производитель:
|
||
