BU508AF
Версия для печати
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 35W, Tf<1uSНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| BU508AF (PHILIPS) | 62 | 144.00 руб. | |
Описание BU508AF
Мощный высоковольтный NPN транзистор в изолированном корпусе. Применяется в блоках горизонтальной развертки и импульсных блоках питания телевизоров.
Основные параметры транзистора BU508AF:
Uкэ(max) Uбэ=0 1500V
Uкэ(max) Iб=0 700V
Iк(max) 8A
Iк.имп(max) 15A
Iб(max) 4A
Pрасс.(max) 34W
Iкэ.нас. (Iк=4,5А) < 1V
Диапазон рабочих температур -65..+150oC
Hfe 6..30
Fгр 7MHz
Cк 125pF
Время выключения 0,7µS
Корпус Fairchild TO-3PML
Корпус Philips SOT-199
Аналог КТ872А1
Технические характеристики BU508AF
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 8A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 700V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 1.6A, 4.5A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 200µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 100mA, 5V |
| Power - Max | 50W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | ISOWATT218FX |
| Корпус | ISOWATT-218FX |
|
BU508AF Silicon Diffused Power Transistor
Производитель:
|
||
