BD139
Версия для печати Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
---|---|---|---|
BD139 | 2280 | 18.55 руб. | |
Технические характеристики BD139
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Transistor Type | NPN |
Current - Collector (Ic) (Max) | 1.5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 2V |
Power - Max | 1.25W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-126-3 |
Корпус | SOT-32-3 |
BD139 Npn Silicon Transistors
Производитель:
|
||