BC856B

Версия для печати Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450

Наименование
Кол-во
Цена
 
BC856B 48000 1.96 руб. (от 100 шт.  0.98 руб.)

Описание BC856B

Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе для SMD монтажа. Применяются в самых широких областях электроники.
Структура P-N-P
Uк-э.макс. -65V
Uкб.макс. -50V
Iк.макс. 100mA
Iк.имп.макс. 200mA
Fгр. 100MHz
Pрасс.макс. 250mW
Cк   4,5pF(тип.)
Шумы  2dB(тип.)..10dB(макс.)
Iк.нач./Iэ.нач.< 15nA / 100nA
Hfe 220..475
Диапазон рабочих температур  -65..+150°С
Маркировка 3B

Технические характеристики BC856B

Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type PNP
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 220 @ 2mA, 5V
Power - Max 250mW
Frequency - Transition 100MHz
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус TO-236AB
BC856AF

PNP general purpose transistors

Также в этом файле: BC856BF

Производитель:
Philips Semiconductors
http://www.semiconductors.philips.com

bc856af.pdf
44.61Kb
8стр.