BC556B
Версия для печати Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, f>150MHz, -55 to +150C)Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
---|---|---|---|
BC556B | 20800 | 1.42 руб. | |
Описание BC556B
Vаломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе TO-92. Применяются в самых широких областях электроники.
Основные характеристики BC556B:
Структура P-N-P
Uк-э.макс. -65V
Uк-б.макс. -80V
Iк.макс. 100mA
Iк.имп.макс. 200mA
Fгр. 100MHz*
Pрасс.макс. 625mW*
Cк 3pF(тип.)
Шумы 2dB(тип.)..10dB(макс.)
Iк.нач./Iэ.нач. < 15nA / 100nA
Hfe 180..460
Диапазон рабочих температур -55..+150°С *
Аналог ~КТ3107
* - у разных производителей параметры могут отличаться
Технические характеристики BC556B
Корпус | TO-92-3 |
Корпус (размер) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Тип монтажа | Выводной |
Frequency - Transition | 150MHz |
Power - Max | 500mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 65V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Transistor Type | PNP |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
Аналоги для BC556B
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
---|---|---|---|
КТ502Д (МИНСК) | 932 | 4.80 руб. |
BC556 PNP SILICON TRANSISTORS Также в этом файле: BC556B
Производитель:
|
||