STP9NK60Z

Версия для печати Транзистор полевой N-канальный +ZD (600V, 7A, 125W, 0.95R)

Наименование
Кол-во
Цена
 
STP9NK60Z (ST MICROELECTRONICS) 153 235.73 руб. 

Технические характеристики STP9NK60Z

FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия SuperMESH™
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950 mOhm @ 3.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 7A
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 53nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1110pF @ 25V
Power - Max 125W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220AB
STP9NK60Z
MOSFET

N-CHANNEL 600V - 0.85W - 7A TO-220 Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STP9NK60Z, STP9NK60ZFP, STB9NK60Z, STB9NK60Z-1.pdf
581.8 Кб