STP7NK80Z
Версия для печати
Транзистор полевой N-канальный +Z-Dio (800V, 5.2A, 125W, 1.8R)Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| STP7NK80Z (ST MICROELECTRONICS) | 120 | 277.12 руб. | |
Технические характеристики STP7NK80Z
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | SuperMESH™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 Ohm @ 2.6A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 5.2A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 56nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1138pF @ 25V |
| Power - Max | 125W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
|
STP7NK80Z MOSFET N-channel 800V - 1.5? - 5.2A - TO-220 Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET
Производитель:
|
||
