STP4NK60ZFP

Версия для печати N-MOS 600V, 4A, 25W

Наименование
Кол-во
Цена
 
STP4NK60ZFP 28 249.22 руб. 

Описание STP4NK60ZFP

Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 2000
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 25
Крутизна характеристики S,мА/В 3000
Корпус TO220FP
Пороговое напряжение на затворе 4.5

Технические характеристики STP4NK60ZFP

Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия SuperMESH™
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 Ohm @ 2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 4A
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 26nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 510pF @ 25V
Power - Max 25W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3 Full Pack
Корпус TO-220FP
STP4NK60Z
Мощные полевые МОП транзисторы

N-CHANNEL 600V - 1.76 Ohm - 4A TO-220 / FP / DPAK / IPAK / D2PAK / I2PAK Zener-Protected SuperMESHTM Power MOSFET

Также в этом файле: STP4NK60ZFP, STP4NK60ZFP

Производитель:
STMicroelectronics
http://www.st.com

stp4nk60z.pdf
759.75Kb
16стр.