STP11NK50Z
Версия для печати
Транзистор N-кан+Z-Диод 500В 10A 125Вт 0.52RНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| STP11NK50Z (ST MICROELECTRONICS) | 118 | 192.24 руб. | |
Технические характеристики STP11NK50Z
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | SuperMESH™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 520 mOhm @ 4.5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 10A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 68nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1390pF @ 25V |
| Power - Max | 125W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
|
STP11NK50Z MOSFET N-channel 500 V, 0.48 ? , 10 A TO-220 Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFET
Производитель:
|
||
