STN1HNK60
Версия для печати N-channel 600v - 8? - 1a sot-223 supermesh™ mosfetНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
---|---|---|---|
STN1HNK60 | 2920 | 64.18 руб. | |
Технические характеристики STN1HNK60
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | SuperMESH™ |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5 Ohm @ 500mA, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 400mA |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 10nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 156pF @ 25V |
Power - Max | 3.3W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
Корпус | SOT-223 |
STN1HNK60 MOSFET N-CHANNEL 600V - 8? - 1A SOT-223 SuperMESH™ MOSFET
Производитель:
|
||