SI4425BDY-T1-E3
Версия для печати
P-Ch -30V -11,4A 1,5W 0,012RНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| SI4425BDY-T1-E3 (VISHAY) | 254 | 247.32 руб. | |
Технические характеристики SI4425BDY-T1-E3
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchFET® |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 11.4A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 8.8A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 100nC @ 10V |
| Power - Max | 1.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
