SI2312BDS-T1-GE3
Версия для печати
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| SI2312BDS-T1-GE3 (VISHAY) | 4966 | 32.90 руб. | |
Технические характеристики SI2312BDS-T1-GE3
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31 mOhm @ 5A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.9A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 850mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 12nC @ 4.5V |
| Power - Max | 750mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 (TO-236) |
