SI1026X-T1-GE3
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|---|---|---|
| SI1026X-T1-GE3 (VISHAY) | 990 | 40.99 |
Технические характеристики SI1026X-T1-GE3
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 500mA, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 305mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 0.6nC @ 4.5V |
| Power - Max | 250mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SOT-563 |
| Корпус | SC-89-6 |
Москва º ул.Марксистская, д.34, корп.7 º (495) 925-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (4732) 695-140
www.kontest.ru