MMBTA92LT1G
Версия для печати
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| MMBTA92LT1G (ON SEMICONDUCTOR) | 13 | 5.17 руб. | |
Технические характеристики MMBTA92LT1G
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 300V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 2mA, 20mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 25 @ 30mA, 10V |
| Power - Max | 225mW |
| Frequency - Transition | 50MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Product Change Notification | Wire Change 08/May/2007 Possible Adhesion Issue 11/July/2008 |
|
MMBTA92LT1 Универсальные биполярные транзисторы High Voltage Transistors (PNP Silicon) Также в этом файле: MMBTA92LT1G
Производитель:
|
||
