MMBT5551LT1G
Версия для печати
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| MMBT5551LT1G | 320 | 1.26 руб. | |
Технические характеристики MMBT5551LT1G
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 60mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Power - Max | 225mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Product Change Notification | Wire Change 08/May/2007 Possible Adhesion Issue 11/July/2008 |
|
MMBT5551LT1 Универсальные биполярные транзисторы High Voltage Transistors NPN Silicon Также в этом файле: MMBT5551LT1G
Производитель:
|
||
