MMBT5551LT1
Версия для печати Полевой транзистор SMD NPN 140V 0,6A, 0,225WНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
---|---|---|---|
MMBT5551LT1 (ONS) | 1662 | 2.40 руб. | |
Технические характеристики MMBT5551LT1
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Transistor Type | NPN |
Current - Collector (Ic) (Max) | 60mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Power - Max | 225mW |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | SOT-23-3 |
MMBT5551LT1 Универсальные биполярные транзисторы High Voltage Transistors NPN Silicon Также в этом файле: MMBT5551LT1G
Производитель:
|
||