MMBT5551LT1

Версия для печати Полевой транзистор SMD NPN 140V 0,6A, 0,225W

Наименование
Кол-во
Цена
 
MMBT5551LT1 (ONS) 1662 2.40 руб. 

Технические характеристики MMBT5551LT1

Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Transistor Type NPN
Current - Collector (Ic) (Max) 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 160V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Power - Max 225mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус SOT-23-3
MMBT5551LT1
Универсальные биполярные транзисторы

High Voltage Transistors NPN Silicon

Также в этом файле: MMBT5551LT1G

Производитель:
ON Semiconductor
http://www.onsemi.com

mmbt5551lt1.pdf
101.03Kb
6стр.