MMBT5551
Версия для печати Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
---|---|---|---|
MMBT5551 (YJ) | 28000 | 2.36 руб. | |
Технические характеристики MMBT5551
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Transistor Type | NPN |
Current - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Power - Max | 350mW |
Frequency - Transition | 100MHz |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | SOT-23 |
Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
MMBT5551 High Voltage NPN Transistors
Производитель:
|
||