MMBT5401
Версия для печати
Полевой транзистор SMD PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, -55 to +150C)Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| MMBT5401 (YJ) | 80000 | 2.36 руб. | |
Технические характеристики MMBT5401
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 150V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 5V |
| Power - Max | 350mW |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23 |
| Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
|
MMBT5401 High Voltage PNP Transistors
Производитель:
|
||
