MMBT2222A

Версия для печати Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц

Наименование
Кол-во
Цена
 
MMBT2222A 48080 1.13 руб. 

Описание MMBT2222A

Исходный полупроводниковый материал кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max 350mW
Ucb max 75V
Uce max 40V
Ueb max 6V
Ic max 1A
Tj max, °C  175°C
Ft max  300MHz 
Cc tip  8
Hfe 100

Технические характеристики MMBT2222A

Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type NPN
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
Power - Max 350mW
Frequency - Transition 300MHz
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус SOT-23
Product Change Notification Mold Compound Change 12/Dec/2007


mmbt2222a.pdf
174,82kB
5стр.