MMBT2222A
Версия для печати Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГцНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
---|---|---|---|
MMBT2222A | 48080 | 1.13 руб. | |
Описание MMBT2222A
Исходный полупроводниковый материал кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max 350mW
Ucb max 75V
Uce max 40V
Ueb max 6V
Ic max 1A
Tj max, °C 175°C
Ft max 300MHz
Cc tip 8
Hfe 100
Технические характеристики MMBT2222A
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Transistor Type | NPN |
Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
Power - Max | 350mW |
Frequency - Transition | 300MHz |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | SOT-23 |
Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
|
||