MJD44H11G

Версия для печати Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт

Наименование
Кол-во
Цена
 
MJD44H11G (ONS) 136 271.58 руб. 

Описание MJD44H11G

Транзистор биполярный NPN
Напряжение сток-исток  / исток - затвор    80В
Ток стока  8А
граничная частота передачи тока    50МГц
Мощность    20Вт
Коэфф- т передачи тока   60

Технические характеристики MJD44H11G

Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type NPN
Current - Collector (Ic) (Max) 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 4A, 1V
Power - Max 1.75W
Frequency - Transition 85MHz
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус DPAK-3
MJD44H11
Мощные биполярные транзисторы

SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 80 VOLTS 20 WATTS

Также в этом файле: MJD44H11G

Производитель:
ON Semiconductor
http://www.onsemi.com

mjd44h11.pdf
92.58Kb
8стр.