MJD44H11G
Версия для печати Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20ВтНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
---|---|---|---|
MJD44H11G (ONS) | 136 | 271.58 руб. | |
Описание MJD44H11G
Транзистор биполярный NPN
Напряжение сток-исток / исток - затвор 80В
Ток стока 8А
граничная частота передачи тока 50МГц
Мощность 20Вт
Коэфф- т передачи тока 60
Технические характеристики MJD44H11G
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Transistor Type | NPN |
Current - Collector (Ic) (Max) | 8A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 400mA, 8A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 4A, 1V |
Power - Max | 1.75W |
Frequency - Transition | 85MHz |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Корпус | DPAK-3 |
MJD44H11 Мощные биполярные транзисторы SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 80 VOLTS 20 WATTS Также в этом файле: MJD44H11G
Производитель:
|
||