MJD200T4
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|---|---|---|
| MJD200T4 | 746 | 31.68 |
Технические характеристики MJD200T4
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.8V @ 1A, 5A |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 45 @ 2A, 1V |
| Power - Max | 1.4W |
| Frequency - Transition | 65MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | DPAK-3 |
Москва º ул.Марксистская, д.34, корп.7 º (495) 925-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (4732) 695-140
www.kontest.ru