IRLR3636TRPBF
Версия для печатиНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
---|---|---|---|
IRLR3636TRPBF | 1584 | 101.59 руб. | |
Описание IRLR3636TRPBF
MOSFET N-CH 60V 50A DPAKТехнические характеристики IRLR3636TRPBF
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | HEXFET® |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.8 mohm @ 50A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 50A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 49nC @ 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3779pF @ 50V |
Power - Max | 143W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Корпус | D-Pak |