IRLR3110ZPBF
Версия для печати
Транзистор N-канальный MOSFETНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRLR3110ZPBF (INFINEON) | 22 | 236.16 руб. | |
Технические характеристики IRLR3110ZPBF
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 38A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 42A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 48nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3980pF @ 25V |
| Power - Max | 140W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
|
IRLR3110ZPBF MOSFET HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
||
