IRLML6401TRPBF

Версия для печати Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRLML6401TRPBF (INFINEON) 17600 40.15 руб. 

Описание IRLML6401TRPBF

Силовой транзистор
Структура транзистора: MOSFET
Тип управляющего канала: P
Предельная постоянная рассеиваемая мощность стока (Pd) транзистора: 1.3 Bт
Напряжение пробоя сток-исток (Uds): 12V B
Предельное напряжение затвор-исток (Ugs): 4.5 В
Предельный ток затвора транзистора (Id): 4.3 А
Предельная температура (Tj): 150 С
Сопротивление сток-исток во включенном состоянии (Rds): 0.05 Ом

Технические характеристики IRLML6401TRPBF

Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия HEXFET®
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 4.3A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 4.3A
Vgs(th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 15nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 830pF @ 10V
Power - Max 1.3W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус Micro3™/SOT-23