IRLML5103
Версия для печати
Транзистор полевой P-канальный MOSFETНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRLML5103 (HOTTECH) | 9600 | 9.79 руб. | |
Описание IRLML5103
Конфигурация и полярность P
Максимальное напряжение сток-исток 30 В
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 760 мА
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) 0.6...1 Ом
Диапазон номинальных напряжений затвора 4.5...10 В
Максимальное напряжение затвора 20 В
Заряд затвора 3.4 нКл
Рассеиваемая мощность 540 мВт
Корпус SOT-23-3
Технические характеристики IRLML5103
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 600mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 760mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 5.1nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 75pF @ 25V |
| Power - Max | 540mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | Micro3™/SOT-23 |
|
IRLML6402 HEXFETand#174; Power MOSFET Также в этом файле: IRLML5103
Производитель:
|
||
