IRFZ24N

Версия для печати Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRFZ24N (INTERNATIONAL RECTIFIER) 80 85.68 руб. 

Описание IRFZ24N

N-канальный МОП-транзистор (MOSFET)  с обратным диодом.
Максимальный ток стока17А
Максимальное напряжение сток-исток55V
Сопротивление сток-исток (откр.)< 0,07 om
Максимальная мощность рассеивания45W
Допустимое напряжение на затворе±20V
Пороговое напряжение на затворе+2..+4V
Ток утечки затвора < 0,1 uA
Ток утечки стока (закр.) < 25 uA
Время включения/выключения 5/19nS (тип.)
Время восстановления диода 56nS (тип.)
Входная/выходная ёмкость 370/140pF
КорпусTO-220
Диапазон рабочих температур-55..+175oC

Технические характеристики IRFZ24N

Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия TrenchMOS™
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70 mOhm @ 10A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 17A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 19nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 500pF @ 25V
Power - Max 45W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220AB
IRFZ24N

N-channel Enhancement Mode Trenchmos Transistor

Производитель:
Philips Semiconductors
http://www.semiconductors.philips.com

irfz24n.pdf
68.09Kb
8стр.