IRFR9210
Версия для печати
Hexfet® power mosfetНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRFR9210 | 40 |
|
|
Технические характеристики IRFR9210
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 1.1A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.9A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 8.9nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 170pF @ 25V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
|
IRFR9210 Дискретные сигналы 200V Single P-channel HexFET Power MOSFET inA D-pak Package Также в этом файле: IRFR9210TR, IRFR9210TRL, IRFR9210TRR
Производитель:
|
||
