IRFR3709Z
Hexfet power mosfets discrete n-channelНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|---|---|---|
| IRFR3709Z | 1856 | 36.30 |
Технические характеристики IRFR3709Z
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 15A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 86A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.25V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 26nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2330pF @ 15V |
| Power - Max | 79W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
Москва º ул.Марксистская, д.34, корп.7 º (495) 925-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (4732) 695-140
www.kontest.ru