IRFP4468PBF

N-канальный Полевой транзистор (Vds=200V, Id=195ARds On (Max) @ Id, Vgs 2.6 mOhm @ 180A, 10V, Vds 19860pF @ 50V,520W,540nC @ 10V

Наименование
Кол-во
Цена
IRFP4468PBF 912 260.92

Технические характеристики IRFP4468PBF

Параметр
Значение
Серия HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6 mOhm @ 180A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 195A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 540nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 19860pF @ 50V
Power - Max 520W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-247-3 (TO-247AC)
Корпус TO-247AC

Москва º ул.Марксистская, д.34, корп.7 º (495) 925-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (4732) 695-140
www.kontest.ru