IRFP27N60KPBF
Версия для печати N-канальный полевой транзистор (Vds=600V, Id=27, Rds=0.18 R, P=500W, -55 to +150C)Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
---|---|---|---|
IRFP27N60KPBF | 236 | 356.54 руб. | |
Технические характеристики IRFP27N60KPBF
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220 mOhm @ 16A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 27A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 180nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4660pF @ 25V |
Power - Max | 500W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-247-3 |
Корпус | TO-247-3 |
IRFP27N60KPBF MOSFET HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
||