IRFP23N50LPBF
Версия для печати
Hexfet® power mosfetНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRFP23N50LPBF (VISHAY) | 200 | 699.70 руб. | |
Технические характеристики IRFP23N50LPBF
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 235 mOhm @ 14A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 23A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 150nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3600pF @ 25V |
| Power - Max | 370W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 |
| Корпус | TO-247-3 |
|
IRFP23N50LPBF MOSFET HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
||
