IRFD9120PBF
Версия для печати
МОП-Транзистор, Р-кан, Vси = -100В, Iс = -1A, 1.3Вт, Rоткр = 0.6 ОмНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRFD9120PBF (VISHAY) | 72 | 88.47 руб. | |
Технические характеристики IRFD9120PBF
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 600mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 390pF @ 25V |
| Power - Max | 1.3W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Корпус | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
|
IRFD9120PBF MOSFET HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
||
