IRFB31N20D
Версия для печати
Полевой транзистор N-Канальный 200V, 31A, 200W, 0,082RНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRFB31N20DPBF (INFINEON) | 1 | 660.01 руб. | |
Технические характеристики IRFB31N20D
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 82 mOhm @ 18A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 31A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 107nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2370pF @ 25V |
| Power - Max | 3.1W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
|
IRFB31N20D N-канальные транзисторные модули Power MOSFET (Vdss=200V, Rds (on) max=0.082ohm, Id=31A)
Производитель:
|
||
