IRFB18N50K
Версия для печати
Транзистор полевойНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRFB18N50K | 3 | 416.06 руб. | |
Технические характеристики IRFB18N50K
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290 mOhm @ 10A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 17A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 120nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2830pF @ 25V |
| Power - Max | 220W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
|
IRFB18N50K N-канальные транзисторные модули Power MOSFET
Производитель:
|
||
