IRF9530N
Версия для печати
P-канальный полевой транзистор с обратным диодом 100В, 14А, 79ВтНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRF9530N (INTERNATIONAL RECTIFIER) | 53 | 159.12 руб. | |
Описание IRF9530N
P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме.
Основные характеристики транзистора IRF9530N:
Максимальный ток стока 14А
Максимальное напряжение сток-исток 100В
Сопротивление сток-исток (откр.) < 0.2Ом
Максимальная мощность рассеивания 79Вт
Допустимое напряжение на затворе +/-20В
Пороговое напряжение на затворе - 2 ...-4V
Ток утечки затвора < 0.1 мкА
Ток утечки стока (закр.) < 25 мкА
Время включения/выключения 15/45нс(тип.)
Время восстановления диода 130нс (тип.)
Входная/выходная ёмкость 760/260пФ
Корпус TO-220
Диапазон рабочих температур - 55..+175oC
Технические характеристики IRF9530N
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 8.4A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 14A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 58nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 760pF @ 25V |
| Power - Max | 3.8W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-262-3 (Straight Leads) |
| Корпус | TO-262 |
|
IRF9530NS P-канальные транзисторные модули 100V Single P-channel HexFET Power MOSFET inA D2-Pak Package Также в этом файле: IRF9530NS
Производитель:
|
||
