IRF7343TRPBF


Наименование
Кол-во
Цена
IRF7343TRPBF 9580 51.41

Технические характеристики IRF7343TRPBF

Параметр
Значение
Gate Charge (Qg) @ Vgs 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 4.7A, 3.4A
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 4.7A, 10V
FET Feature Standard
FET Type N and P-Channel
Серия HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 740pF @ 25V
Power - Max 2W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус 8-SO


Москва º ул.Марксистская, д.34, корп.7 º (495) 925-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (4732) 695-140
www.kontest.ru