IRF540NPBF
Версия для печати
Полевой транзистор N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.044 R@Vgs=10V, P=130W, -55 to 175C), Pb-free.Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRF540NPBF | 6040 | 28.86 руб. | |
Технические характеристики IRF540NPBF
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Power - Max | 130W |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1960pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 71nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 33A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 44 mOhm @ 16A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Корпус | TO-220AB |
|
IRF540NPBF Hexfet Power Mosfet
Производитель:
|
||
