FQP12P20
Версия для печати
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| FQP12P20 (ONS) | 98 | 104.67 руб. | |
Технические характеристики FQP12P20
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 470 mOhm @ 5.75A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Серия | QFET™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 11.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1200pF @ 25V |
| Power - Max | 120W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220 |
|
FQP12P20 Мощные полевые МОП транзисторы 200v P-channel Mosfet
Производитель:
|
||
