FDP61N20
Версия для печати
200v n-channel mosfetНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| FDP61N20 (ONS) | 5 | 341.30 руб. | |
Технические характеристики FDP61N20
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | UniFET™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41 mOhm @ 30.5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 61A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 75nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3380pF @ 25V |
| Power - Max | 417W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220 |
|
FDP61N20 MOSFET 200V N-Channel MOSFET
Производитель:
|
||
